Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：342 关键词：电子
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采...
分类：新品快报 时间：2024/2/27 阅读：246 关键词：英特尔
ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...
时间：2024/1/17 阅读：47 关键词：IGBT晶体管
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保...
时间：2024/1/2 阅读：166 关键词：门极驱动器
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：403 关键词：驱动器
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2023/12/25 阅读：463 关键词：IGBT模块
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全...
分类：新品快报 时间：2023/12/14 阅读：343 关键词：驱动器
ROHM - 新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型
利用嵌入了功率元器件的电路仿真工具，提高设计的便利性 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice 的SPICE模型*2阵容。LTspice具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按...
Infineon - 英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP? IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方...
时间：2023/11/6 阅读：70 关键词：英飞凌
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：210 关键词：IGBT
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进...
分类：新品快报 时间：2023/10/11 阅读：188 关键词：英飞凌
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性...
分类：新品快报 时间：2023/9/12 阅读：290 关键词：IGBT晶体管
英飞凌最近发布了第 7 代 IGBT 的 650V H 变体
根据消息，第 7 代的总数达到了两个电压范围的三个类别： H7为650V和1.2kV，T7为650V和1.2kV，S7为1.2kV。 “T7 和 S7 都定义了 SCWT [短路耐受时间]，这是慢速开关...
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了...
分类：新品快报 时间：2023/8/7 阅读：307 关键词：英飞凌
SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器可增强系统的可观测性和整体性能
PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器可提供负温度系数(NTC)数据，从而实现变换器系统的精确温升管理并确保均流精确性。由于支持多个功率模块并联，因...
分类：新品快报 时间：2023/8/1 阅读：472 关键词：SiC模块
