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全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs...

分类：新品快报时间：2023/4/17 阅读：162 关键词： FETs

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全...

分类：新品快报时间：2023/3/28 阅读：460 关键词： TOLL

Diodes公司(Nasdaq：DIOD)为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI?1012-8)封装，能在175?C、100瓦等级的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5S...

分类：新品快报时间：2021/11/19 阅读：1818

日前，前身为恩智浦(NXP)标准产品业务的Nexperia今天宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及WiseRoadCapitalLTD（简称：智路资本）联合投资下，拥有前恩智浦部门所

分类：名企新闻时间：2017/2/10 阅读：468 关键词：Nexperia

日前，VishayIntertechnology,Inc.日前宣布推出新型20V和30Vp通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内的导通电阻。现有的

分类：新品快报时间：2008/12/25 阅读：1386 关键词：Vishay

日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低

分类：新品快报时间：2008/12/8 阅读：271 关键词：Vishay

日前，威世(VishayIntertechnology,Inc.)推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAKSO-8封装，在20V额定电压时具有业界导通电阻及导

分类：新品快报时间：2008/12/4 阅读：728 关键词：Vishay

日前，VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型25Vn通道器件，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAKSO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界的导通电阻

分类：名企新闻时间：2008/10/27 阅读：673 关键词：Vishay

意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异...

分类：名企新闻时间：2008/9/25 阅读：795 关键词：半导体

2022 年 12 月 6 - 7 日，中国电工技术学会低压电器专业委员会第二十一届学术年会、第十七届中国智能电工技术论坛暨固态新型断路器技术发展及应用国际研讨会（第二季）于江苏常州顺利召开。作为一场行业盛会，该会议主要围绕固态/混合式...

基础电子时间：2022/12/29 阅读：1246