类别：新闻资讯 出处：网络整理 发布于：2006-12-25 08:54:44 | 909 次阅读
美国加州旧金山北区联邦地方法院在本周四宣布的重罪记录中称，与其他公司共谋限定DRAM储存芯片价格，已经违反了美国的谢尔曼反托拉斯法案(Sherman Antitrust Act)，三星半导体总裁 Park同意认罪。
美国司法部从2003年12月开始对共谋限定DRAM芯片价格进行了调查，已经对4个DRAM芯片厂商和18个当事人进行了起诉。Park先前曾经担任三星公司销售副总裁，他是第5个在美国司法部进行的共谋限定DRAM芯片价格调查中同意被监禁的三星公司的高管。
2004年10月，因共谋限定DRAM芯片价格，德国英飞凌科技公司被美国司法部判处支付1.6亿美元罚款。去年5月，第二个的储存芯片厂商韩国现代半导体公司也被判处支付1.85亿美元的罚款。去年11月，三星已经被判处支付3亿美元罚款。今年1月，日本储存芯片厂商Elpida储存公司也同意认罪并交纳8400万美元罚款。
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