富士经济公布了半导体材料市场的调查结果以及未来预测。2006年半导体材料的市场规模比上年增加16.9％，达到3.21万亿日元。从不同领域看，份额是占全体37％的“半导体晶圆”市场，达到1.18万亿日元。其次是占23％的“封装相关”市场，达到7430亿日元，然后是占12％的“光刻相关”市场，达到3860亿日元。预计2012年的材料市场总体将比2006年增加28.0％，达到4.11万亿日元。
按半导体材料市场面向前工序或后工序来看，2006年的前工序材料市场，占半导体材料市场总体的6成以上，达到2.75万亿日元，后工序材料市场达到1.1346万亿日元。富士经济预计，2012年前工序材料市场将比2006年增加27.4％，达到2.644万亿日元，后工序材料市场将同比增加29.5％，达到1.4692万亿日元。
电容器用高介电质材料2012年将增至3倍
富士经济指出未来3大引人注目市场是：高介电质材料、NF3以及各向异性导电薄膜。
2006年的电容器用高介电质材料市场比上年增加30.0％，达到65亿日元。电容器用高介电质材料是指电容器用绝缘膜中采用的、比过去的SiO2和Si3N4介电率更高的材料。2012年的市场规模将比2006年增加192.3％，达到190亿日元。该材料已从研究开发阶段真正进入到批量生产化阶段，销量也逐年增加。回顾2006年的需求，安装微软新操作系统“WindowsVista”的个人电脑和支持任天堂的新一代游戏机“Wii”用的DRAM均采用了该材料。2007年以后，DRAM和闪存也将增产，尔必达内存和台湾力晶半导体的合营公司将会进行大规模投资等，因此需求有望进一步扩大。
温室气体排放量限制，NF3市场急剧增长
由于温室气体的排放量限制，NF3（三氟化氮）市场急剧增长。NF3代替SF6（六氟化硫），被用于等离子CVD（化学气相沉积）装置中使用的室内洗涤用气体。2006年的市场规模比上年增加16.3％，达到500亿日元，供货量达到3850吨。预计2012年，与2006年相比将增加68％，达到840亿日元。受半导体和液晶面板需求扩大影响，以年均10％以上的比例增长。按不同地域看，包括日本在内,亚洲的消费量，日本市场的规模达到86亿日元，在650吨左右。由于300mm晶圆半导体和液晶面板的生产，韩国和台湾的需求也非常大。
液晶面板需求扩大各向异性导电薄膜增长
由于液晶面板的驱动IC需求等原因，各向异性导电薄膜（ACF）市场持续扩大。2006年的市场规模比上年增加13.1％，达到950亿日元。预计到2012年将比2006年增加47.4％，达到1400亿日元。日本厂商占到市场份额的一半以上。据估计，特别是居首位的制造商日立化成工业、索尼化学情报设备2家公司将占到销售数量的92％。
