意法半导体和IBM日前宣布两家公司签署一项技术合作协议，双方将合作开发半导体下一代制造工艺 — 开发制造半导体的技术“诀窍”。
协议内容包括32纳米和22纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的开发、设计实施和针对300-mm晶圆制造特点调整的先进技术研究。此外，该协议还包括这两家公司在技术开发领域居水平的bulk CMOS工艺和增值的衍生的系统级芯片(SoC)技术。根据该协议，ST和IBM将合作开发IP模块和平台，以加快采用这些技术的系统级芯片器件的设计速度。
作为本协议的一部分，协议双方还将在对方公司内部成立一个技术开发小组。在纽约East Fishkill和Albany的IBM的半导体研发中心，ST将设立一个bulk CMOS技术研发小组。同时，在法国Crolles的意法半导体300mm芯片研发及制造中心，IBM将成立一个研发小组，两家公司将合作开发各种增值的衍生技术，如嵌入式存储器和模拟/RF器件。这些技术可广泛用于消费电子、服务器市场和无线应用领域，如手机和定位系统。
意法半导体将加入一个由半导体制造商、开发商、技术公司为解决制造更小、更快、更低廉的半导体产品所需的设计复杂性和先进工艺开发而成立的技术联盟。在这个由6家公司组成的IBM CMOS技术联盟内，每个成员公司都享有优先使用技术、参与技术定义、使用合作研发资源解决问题以及共用一个合作制造基地的权利。
同样地，IBM和ST将扩大ST在法国的300mm晶圆制造厂的开发网络，接纳IBM技术联盟中对开发增值衍生系统级芯片技术感兴趣的其它成员。
通过参加成员之间资源共享的开放式生态系统，技术联盟公司认识到通过整合研发力量和知识产权技术可以提高创新速度，降低相关成本。随着联盟不断扩大，为了解决以更快的速度、更低廉的价格设计、制造更好的半导体产品的严峻挑战，更多的成员为此投入了更大的资源，从而使合作关系的好处日益突出。
“ST做出了一项重要的战略决定：利用公司在面向系统技术领域积累的知识，集中公司的研发资源开发增值的衍生技术，” 意法半导体主管前工序技术及制造活动的执行副总裁Laurent Bosson表示，“考虑到IBM在开发先进半导体技术方面取得的不凡业绩，我们相信这个合作项目将会给双方带来克服这些技术挑战所需的知识和技术解决方案，并确保双方具有竞争力的产品的上市时间。”
“意法半导体加盟IBM技术联盟，使我们进一步增强了解决半导体工业开发先进技术过程中固有的技术和经济问题的能力，”IBM主管研发的副总裁John E. Kelly III表示，“我们与ST的技术共享和开发合作将有助于提高制造工艺的开发实力，同时还能给客户带来更短的产品上市时间和更大技术好处。”
双方合作开发的制造工艺将在ST的300mm晶圆制造厂(法国Crolles)投入量产，同时也在这个合作平台的制造商的300mm设施内批量生产，其中包括IBM。
考虑到更长远的合作前景，利用CEA-LETI公共研究所与ST建立的历史悠久的成功的合作关系，IBM、CEA-LETI(法国格勒诺布尔)和ST计划在未来的技术节点上展开合作。
关于这项合作的财务细节没有披露。
