类别：其他 出处：网络整理 发布于：2008-08-11 09:56:04 | 1490 次阅读
Surface Technology Systems公司与XACTIX公司推出新的基于二氟化氙（XeF2）气体的Chemical Vapor Etch（CVE）设备。XACTIX与STS合作开发的突破性工艺腔体设计和改进的晶圆传递机制可保证高吞吐量、均匀性、效率及运行时间，从而使XeF2蚀刻成为可行的大批量生产工艺。
XeF2是一种快速的各向同性硅蚀刻剂，无须等离子体源，并且对许多CMOS及半导体常用材料具有很高的选择比。主要应用之一是蚀刻硅牺牲层以释放MEMS结构。做为干法工艺，XeF2蚀刻避免了湿法释放中由于搅拌或粘连对器件的损伤。结合对其它半导体材料的极低或几乎不蚀刻，该工艺保证提升良率、降低制造成本及改进器件性能。
XACTIX的总裁兼CEO，David Springer解释道：“之前，为提高整片晶圆的均匀性必须降低气体压力和流量，或加入载气。降低气压和流量将影响蚀刻速率和吞吐量，而加入载气会降低效率并增加运行成本。新的设计中，晶圆密封在更小的对称腔体内，结果晶圆表面得到非常均匀、集中的气体流。”
STS的CEO，Eizo Yasui说：“结合两家公司的知识，我们成功地开发出独特的XeF2工艺设备，将显著地为顾客在大批量生产方面提高竞争力。我们的CVE机台经过全面测试，业已获得一个包含三个模块的集群设备订单，并将在今年夏天供货。”
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