主要半导体设备厂商之营运与技术概况

　　一、Applied Materials

　　2007年10月份的营收较2006年成长6.1%，达到97.3亿美元，创下历史新高纪录，毛利也增加了12.5%，达到17.1亿美元。Applied Materials(应用材料)于2007年强化闪存之组织功能，并跨入薄膜太阳电池事业，应材大部分的设备皆与手机、数字电视、游戏机、MPS播放器与其它电子机器的市场成长脉动息息相关，其中重要的是生产内存芯片的设备，因为目前大部份的新需求主要来自于积极投资设备的闪存或是DRAM厂商。

　　2008年应用材料将继续致力于奈米生产技术的研发革新，另外也积极提升32奈米制程的生产效率。针对45奈米制程以后的设备部份，譬如能将更高速晶体管弯曲的技术、high-k/金属栅极等技术开发以及提升晶圆检查的技术上，也将更积极的投入研发资源以维持业界的领导地位。

　　二、ASML

　　ASML截至2008年季为止，合计出货86台浸润式设备，仅在2008年季期间，浸润式设备的出货就达到14台，而出货数的地区是日本。2007年度ASML创下毛利纪录，为保持优异的业绩，将持续布局，并强化研发活动。

　　ASML的浸润式设备所生产的晶圆数量，截至目前为止，总数已经超过1000万枚，以此为基础，许多更优异性能的半导体或是电子产品的开发也得以继续进行，浸润式曝光设备-「XT：1900i」拥有业界中多的开口数，也具有优异的分辨率。ASML预期客户将会对设备投资抱持谨慎的态度，因此除了维持2008年下半年的研发经费之外，将会删减制造以及销售管理方面的费用。

　　三、Canon

　　曝光设备需求的市场主要有日本、韩国与台湾，但因为内存价格的滑落，从2007下半年开始，内存厂商之投资行为逐渐进入减速的循环，设备采购总数比2006年略为减少，Canon也只有179台的成绩，略低于2006年。

　　Canon新开发的「FPA-7000系列」于2007年开始投入市场，目前也正在推动浸润式曝光设备「FPA-7000AS7」的客制化制程。总结来说，2007年的销售活动主要以i线与KrF为主，客户的要求主要在于提升设备的生产效率，因此，如何提升设备的生产速度与缩短安装时间是Canon主要的研究方向。

　　针对32奈米后的量产技术，Canon将继续研发EUVL与高曲折浸润技术，并参考外围设备或是材料开发状况，致力于开发次世代曝光技术的双面溅镀设备，并开发可提升生产效率与对准的设备，并改善阶段控制技术与液膜保持技术。

　　根据2007年的预测，2008年12月的半导体曝光设备市场规模将较2007年缩减10%，自2008年初以来，经济环境的变化与DRAM

　　价格跌破成本等状况已经持续了半年以上，半导体厂商也持续在缩减投资。但是，进入2008年第二季后，景气改善的征兆慢慢浮现，如果未来经济环境能持续好转，应可期待设备的订单能有所成长。

　　四、KLA-TENCOR

　　在IC制造与光罩制造的两大市场中，端企业客户的量产已慢慢移转到45奈米制程，为了达到厂商所要求的量产良率，目前正面临了检查与量测两方面的重要课题，为早日解决量产前良率过低的问题，从研究开发的阶段开始，检查与量测技术的重要性无庸赘言。

　　晶圆制造厂商要求其使用的检查设备可以检测出型式或设计上的新缺陷、微粒子与难以检验的异物，因此KLA-Tencor将投资重点放在高光学系列、计算功能与软件演算上。检查设备中极为重要的一环是缺陷检查技术，KLA-Tencor开发了的电子光束影像处理技术，此技术能与业界的检查设备配合，是目前可将缺陷数据转化为缺陷信息的技术。

　　光罩检查设备主要是以OPC等次分辨率技术，正确检测出光罩的缺陷，另外晶圆厂内使用光罩时，异物存在的检测以及管理也是相当重要，KLA-Tencor拥有可以因应以上两种需求的次世代设备。

　　在量测设备中，已经达到接近原子程度的分辨率，因此制程尺寸的质量管理更显重要，目前已出现针对可测量多层膜的组成或是其它物理特性设备的需求。KLA-Tencor的研发目的不仅在于的解析工具与实验工具，其目标在于实现客户的高生产效率与制造的稳定度，终能以的量测与检查技术业界。

　　五、Nikon

　　2008年3月份的曝光设备(包括LCD曝光设备)的营业额为3,150亿日圆，因为内存的设备投资十分活跃，因此ArF浸润式曝光与干式ArF曝光设备较去年同期有大幅度的成长，另外i线新产品也获得用户的高度评价。

　　ArF液润式扫描-「NSR-S6I0C」自2007年2月开始出货，是以2006年1月出货的「NSR-S609B」设备为基础所开发出来的产品，并透过Nikon独自研发的工程平台(Tandem-stage)技术，达到高产出、高对准与稳定的曝光制程。Nikon的局部液浸喷嘴可以几近完美的阻绝大部分缺陷的出现，更可达到与干式曝光同等级甚至更高等级的对准。

　　随着超大规模集成电路的发展，浸润技术在40~45奈米世代的量产技术地位早已经获得确立，在32奈米世代以后的量产技术上，目前以双面溅镀受到瞩目。在双面溅镀开发上重要的挑战是对准的提高，而终对准因为必须加上二次曝光的对准，每一道曝光中所要求的对准皆比以往更加严格，现在所要求的对准约为3~4奈米。一般推测32奈米的量产约需11~13年，Nikon预计2008下半年起到2009年初的期间内，开始双面镀溅设备的研发工作。受到次级房贷问题的影响，经济前景目前仍不明朗，但Nikon认为半导体与LCD面板的市场呈现稳定成长，因此未来设备市场仍具备成长潜力。

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