类别：其他 出处：网络整理 发布于：2008-09-17 11:07:10 | 496 次阅读
新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)日前举行技术论坛，特许执行长谢松辉表示，目前特许65纳米已超越许多竞争对手，未来在45纳米制程他更有信心大幅并紧追台积电，同时，特许也已在32纳米制程技术采用High-k/Metal-gate新材料，并投入下一世代22纳米制程技术研发。不过受到半导体景气趋缓影响，市场传出特许扩充12吋厂产能计划很可能将延缓，期待半导体景气出现回温迹象。
谢松辉表示，特许目前研发完全采取合作研发模式(Joint-Develop Model；JDM)与其它6家半导体业者包括英飞凌(Infineon)、三星(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、IBM、飞思卡尔(Freescale)、意法半导体(STMicroelectronics)共享研发成果，目前制程技术已进展至32纳米，并进一步向22纳米以下制程技术延伸。谢松辉表示，22纳米已经是JDM合作模式下特许将推出的第5代制程技术。
根据SEMI的统计，特许在65纳米制程技术的产能已经超过联电，仅次于晶圆代工龙头台积电，而谢松辉则说，在45纳米制程技术特许预计更将大幅超越竞争对手，并拉近与龙头台积电的差距。根据特许预测，2008年成长率强的是65纳米制程技术，预估第3季将较第2季再度增加40%，同时达到营收的18%，特许第2季65纳米约占营收的13%；而从2007年第2季起至2008年第3季，65纳米制程出货量整整增加5倍之多。
特许技术副总裁夏良聚则表示，65纳米对特许而言，制程技术发展已相当成熟，下一阶段并已准备好量产45纳米制程。特许目前45纳米低功耗(Low-power)制程技术已经验证通过，同时将推出半世代的40纳米泛用型制程(Generic)、低功耗(LP)制程，预计2009年40纳米将进入试产(risk production)，而快2009年第1季启动共乘服务(Multiple-Wafer Shuttle)。
夏良聚进一步揭示，目前特许在32纳米进展，特许已在32纳米采用high-k/metal gate材料，同时可以较45纳米低功耗制程的速度快40%、电耗节省约40%左右。根据目前同业发展，以台积电而言，已在45纳米采用high-k/metal-gate，不过台积电认为，较广泛的应用将是32纳米。
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