您知道飞兆半导体的SiC特性吗?

类别:其他  出处:网络整理  发布于:2012-12-27 11:08:17 | 1797 次阅读

      飞兆半导体是美国的一家半导体设计与制造公司,目前总部设在缅因州南波特兰。曾经开发了世界上款商用集成电路.当前半导体行业的重要公司英特尔、AMD等的创始人都来自此公司。飞兆半导体的高性能半导体产品可为功率和移动设计提供高能效、易于使用的半导体解决方案。详细解决方案请点击: https://jiezhoukjc.dzsc.com/

  飞兆半导体的SiC特性包括:

  ●经过优化的半标准化自定义技术解决方案,可充分利用自身较大的半导体器件与模块封装技术组合

  ●凭借功能集成和设计支持资源简化工程设计难题的先进技术,可在节约工程设计时间的同时限度地减少元器件数量。

  ●具有尺寸、成本和功率优势的较小型先进封装集成了的器件技术,可满足器件制造商和芯片组供应商的需求

  在飞兆半导体SiC组合中首先要发布的一批产品是先进的SiC双极结型晶体管(BJT)系列,该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性,并且能够顺利地进行高温工作。 通过利用效率出色的晶体管,飞兆半导体的SiC BJT实现了更高的开关频率,这是因为传导和开关损耗较低(30-50%),从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

  这些强健的BJT支持使用更小的电感、电容和散热片,可将系统总体成本降低多达20%。 这些业界的SiC BJT性能出众,可促进更高的效率和出色的短路及逆向偏压安全工作区,将在高功率转换应用的功率管理优化中发挥重大作用。

  飞兆半导体还开发了即插即用的分立式驱动器电路板(15A和50A版本),作为整套碳化硅解决方案的一部分,与飞兆半导体的先进SiC BJT配合使用时,不仅能够在减少开关损耗和增强可靠性的条件下提高开关速度,还使得设计人员能够在实际应用中轻松实施SiC技术。飞兆半导体为缩短设计时间、加快上市速度,还提供了应用指南和参考设计。应用指南可供设计人员获取SiC器件设计所必需的其他支持;参考设计有助于开发出符合特定应用需求的驱动器电路板。

  SiC BJT和其他SiC

  有史以来效的1200 V功率转换开关

  ●的总损耗,包括开关、传导及驱动器损耗

  ●所有1200 V器件中的开关损耗(任意RON条件下)

  简单直接的驱动

  ●常关功能降低了风险和复杂程度,并减少了限制性能的设计

  ●稳定的基极输入,对过压/欠压峰值不敏感

  强健且可靠

  ●额定工作温度高:Tj=175℃

  ●由于RON具有正温度系数,增益具有负温度系数,因此易于并联

  ●稳定持久的Vbe正向电压和反向阻隔能力

  封装和报价信息(订购1,000个,美元)

  飞兆半导体的SiC BJT采用TO-247封装;符合条件的客户从现在起即可获取工程设计样本。

关键词:半导体

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