SK海力士近发布了有关其第8代3D NAND存储设备的详细信息,该设备具有300多个有源层。该公司的新型3D NAND设备将使其能够在2024年至2025年的某个时间范围内提高SSD的性能并降低其每TB成本。
SK海力士初的第8代3D NAND设备具有300+层,将配备1Tb(128GB)容量,具有三级单元,位密度超过20Gb/mm^2。此外,该芯片具有 16KB 页面大小、四个平面、2400 MT/s 接口和 194 MB/s 的吞吐量(比第 7 代 238 层 3D NAND 高 18%)。高速 I/O 和增加的吞吐量将特别适用于 的固态硬盘 具有 PCIe 5.0 x4 或更的接口。
(图片来源:SK海力士)
将新NAND的位密度提高近一倍将显着提高新制造节点的每晶圆生产率,这将降低SK海力士的成本,尽管目前尚不清楚其显着程度。
三重验证程序(TPGM)功能,可缩小电池阈值电压分布,并将tPROG(编程时间)减少10%,从而转化为更高的性能;
自适应未选择字符串预充电 (AUSP) — 另一种将 tPROG 减少约 2% 的程序;
全通上升 (APR) 方案可将 tR(读取时间)减少约 2%,并缩短字行上升时间;
编程虚拟串(PDS)技术,通过降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线建立时间;
平面级读取重试 (PLRR) 功能,允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别,从而立即发出后续读取命令并提高服务质量 (QoS) 和读取性能。
SK海力士没有透露何时开始生产其第8代3D NAND设备。但是,由于该公司已经披露了有关该技术的详细信息,因此看起来其开发已经完成或接近完成。同时,由于所有闪存制造商都倾向于放慢采用较新的制造节点以限制NAND位输出的速度,因此SK海力士不太可能将第8代3D NAND投入生产。因此,预计新内存将在 2024 年采用是合理的。