三星电子和SK海力士今年第一季度业绩或将不及预期。业界预计半导体市场将从第二季度开始全面反弹，但预计复苏将逐步展开，难以出现大幅好转。
据财经信息提供商FnGuide 31日报道，三星电子今年第一季度营业利润预计在5万亿韩元左右，较去年第一季度（6.6万亿韩元）和去年第四季度（6.5万亿韩元）均减少1万亿韩元以上。业绩下滑的主要原因是存储半导体价格疲软以及晶圆代工（半导体代工生产）机构部门亏损扩大。
综合各大券商报告，三星电子DS（半导体）机构部门第一季度内存业务盈利逾2万亿韩元，但预计营业亏损约4000亿韩元，核心内存业务受到高带宽内存（HBM）出口至中国的管制影响，加上通用内存产品价格下跌，获利或较去年同期减少。
SK海力士第一季度业绩预计也呈现类似趋势。证券业估计SK海力士第一季度营业利润约为6.5万亿韩元。虽然与去年第一季度（2.886万亿韩元）相比有所增长，但与去年第四季度（8.1万亿韩元）相比下降了1万亿韩元以上。业绩下滑的原因被认定为通用DRAM价格下跌以及针对SK海力士核心客户NVIDIA的HBM出货量略有下降。
不过，从本月开始，随着存储器需求的增加，出现了一些积极的迹象，三大 DRAM 生产商之一的美国美光宣布大幅涨价。人们越来越期待第二季度将迎来“半导体的春天”。尤其积极的是，除 HBM 之外的一般存储器半导体价格上涨。这在很大程度上是由于人工智能 (AI) 和数据中心需求的增加带动了存储器半导体整体需求的逐步增加。
熟悉三星电子的一位相关人士表示，“DS部门的高层预计，在第一季度跌至低谷之后，由于市场环境的好转和技术能力的恢复，增长将从第二季度开始进入全面复苏轨道，从而带来更好的业绩”，并指出，“虽然像过去那样出现V型复苏或大幅好转很困难，但人们期待营业利润能恢复到前几年的水平。”
预计第二季度三星电子和SK海力士业绩将因中国这一市场的需求而有所改善。研究机构分析师李秀林表示：“近期中国移动DRAM库存调整已接近完成，DDR4现货价格紧随DDR5上涨，上半年确实进入涨价阶段。”该分析师还解释道：“这是由于内存公司维持保守的供应立场所致。”他指出：“价格上涨导致供应量不增加，刺激了客户的囤货情绪。”
NAND闪存价格也有望在供应长期减少后从今年4月起进入上涨趋势。大信证券研究所分析师朴康浩25日表示，“预计4月NAND闪存价格将上涨，DRAM价格受库存调整效应稳定，今年第二季度以后存储器行业或将迎来复苏”。他还补充道，“为应对中国以旧换新政策和美国关税政策而积极囤积库存，正在产生影响（涨价），”并指出，具有成本效益的人工智能（AI）基础设施投资的扩大，可能会使存储器需求超出现有预期。
