三星电子已开始量产 12 纳米级 16Gb（千兆位）DDR5 DRAM，这是业界的一项突破性壮举。
三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)（十亿分之一米）的 DRAM 半导体的公司。这家科技巨头已经进入 12 纳米时代，领先于 SK 海力士等竞争对手，距去年 12 月成功开发该技术仅五个月。
竞争对手已经完成了 12 纳米 DRAM 技术的开发，现在正在投资下一代 DRAM 并紧跟在三星之后。5 月 18 日，三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM。前14nm DRAM的线宽减少了1-2nm，生产效率提升了约20%。此外，与上一代产品相比，功耗也降低了 23%。
当世界 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时，第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年内量产12纳米级DRAM。而且，在数个独立DRAM单元堆叠的High Bandwidth Memory领域，甚至可以说已经超越了三星。
业界将 12-13 纳米 DRAM 归类为同代 (1b) 产品。然而，个推出 1b 的是美光，而不是三星。美光去年使用深紫外光刻设备成功开发出 13 纳米 DRAM。
一位业内人士评论说，“直到2020年，三星在DRAM方面被评估为领先竞争对手几个月。但现在竞争已经接近平局。”
NAND闪存领域的竞争更加激烈。NAND 市场的焦点已经从 20 纳米的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管 3D NAND 初是由 NAND 份额市场三星透露，但中国的长江存储（第六，232 层）和美光（第五，232 层）率先堆叠了 200 层。三星随后推出了 236 层 NAND，但 SK 海力士（第 3）宣布已成功开发出更高的 238 层 NAND。
在此期间，日本首相岸田文雄会见了半导体公司的领导人，包括三星电子DS部门总裁韩钟熙和美光公司执行官Sanjay Mehrotra，寻求对日本的投资。执行官 Mehrotra 承诺向美光广岛工厂投资高达 5000 亿日元（约合 5 万亿韩元或 36 亿美元）以实施设备。此前，日本媒体报道称，三星电子已决定在横滨投资超过 300 亿日元（约合 3000 亿韩元或 2.17 亿美元），建立一条先进的半导体器件原型线。
