K4X51323PK-8GD8
Samsung
特点 •1.8V供电，1.8V的I / O电源 •双数据速率的架构;每个时钟周期的数据传输 •双向数据选通（DQS） •四家银行的运作 •1/ CS •1 CKE •差分时钟输入（CK和CK） •MRS循环的重点项目地址 - CAS延迟时间（2，3） - 突发长度（2，4，8，16） - 突发类型（顺序及交织） - 局部自刷新类型（完整，1/2，1/4阵列） - 输出驱动强度控制（完整，1/2，1/4，1/8） •内部温度补偿自刷新 •深度掉电模式 •除数据和糖尿病所有的输入被采样在系统时钟（CK）的正边沿。 •数据的I / O事务上的数据选通，糖尿病掩蔽的两边。 •边缘对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。 •无DLL; CK的DQS不同步。 •DM0 - DM3只写掩蔽。 •自动刷新占空比 - 7.8us为-25至85°C 该模式寄存器被设计为支持DDR SDRAM的各种操作模式。它包括CAS延时，寻址方式， 突发长度，测试模式和供应商的特定选项，使DDR SDRAM的有用的各种应用。的默认值 模式寄存器没有定义，因此该模式寄存器必须写在DDR SDRAM的上电顺序。该模式寄存器写的是主张对CS，RA
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