Vishay SiB437EDKT功率MOSFET创导通电阻纪录
威世（Vishay）近期宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是能在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDK
日前，意法半导体(STMicroelectronics,ST)为太阳能、电信及消费性电子应用领域的设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择而扩大采用第六代STripFET技术的高效功率MOSFET产品系列。的STripFETVIDeep
分类：新品快报 时间：2011/6/22 阅读：1369 关键词：MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球的功率芯片供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）扩大采用第六代STripFET?技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择
近日消息，据外媒报道，据IHSiSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行
分类：业界动态 时间：2011/6/17 阅读：211 关键词：MOSFET
日前，Vishay（威世）宣布，在6月21-23日于上海国际会议中心举行的PCIM（功率转换，智能运动）Asia2011期间，在A15和A16展位展示该公司的业界的电容器、电阻和功率MOSFET。PCIMAsia是功率电子、智能运动和电能质
据IHSiSuppli公司的研究，2010年我国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处於供应不足局面，难以满足我国各行业的需求，包括本地资料
分类：业界动态 时间：2011/6/15 阅读：237 关键词：MOSFET
据IHSiSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据
分类：业界动态 时间：2011/6/13 阅读：1790 关键词：MOSFET
据IHSiSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据
分类：业界动态 时间：2011/6/8 阅读：911 关键词：MOSFET
据IHSiSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。直到2010年第三季度，功率MOSFET在去年多数时间都是供应不足，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、
分类：业界动态 时间：2011/6/2 阅读：470 关键词：MOSFET
Vishay公司日前发布新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器，以及智能手机、MP3播放器、平板电脑和电子书等手持设备中的充电和负载开关。更低的MOSFE
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为12V输入同步降压应用提供效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。IRF68
分类：新品快报 时间：2011/2/15 阅读：320 关键词：MOSFET
安森美推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5mmx6mmSO-8FL封装及3.3mmx3.3mmWDFN-8封装，占位面积比业界标准DPAK封装小50%或以上，
分类：新品快报 时间：2011/2/12 阅读：1462 关键词：MOSFET
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET〓IIMOSFET，新产品
分类：新品快报 时间：2011/1/26 阅读：976 关键词：MOSFET
Vishay推出8V P沟道TrenchFET功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx2mm占位面积的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最
据iSuppli公司，由于2010年销售增长50%以上，而且产量有限，英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给，而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元，比2009年的16亿美
分类：行业趋势 时间：2010/11/29 阅读：1066 关键词：MOSFET
