P-DIT/塑料双列直插
IRLR120NTRPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 2,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 25V
功率 - *大值 48W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak
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类型:经销商
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联系人:何丽贤
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