• 场效应???MOSFET N D2-PAK 100V 33A
•  晶体管*性: N沟道
•  电流, Id连续: 33A
•  电压, Vds*大: 100V
•  在电阻RDS（上）: 52mohm
•  电压@ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
•  功耗, Pd: 140W
•  工作温度敏: -55°C
•  工作温度*高: 175°C
•  封装类型: TO-263
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  SMD标号: IRF540NS
•  功率, Pd: 140W
•  功耗: 140W
•  功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W
•  封装类型: D2-PAK
•  封装类型,其它: D2-PAK
•  工作温度范围: -55°C到 175°C
•  温度@电流测量: 25°C
•  满功率温度: 25°C
•  漏*电流, Id*大值: 33A
•  热阻,结点至外壳A: 1.1°C/W
•  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
•  电压, Vds: 100V
•  电压, Vds典型值: 100V
•  电压, Vgs*高: 4V
•  电流, Idm脉冲: 110A
•  表面安装器件: SMD
•  阈值电压, Vgs th*高: 4V

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