570mW贴片双N沟道MOS场效应管SI1912EDH-T1-E3原装Vishay*现货

品牌/商标：
Vishay/威世通
型号/规格：
SI1912EDH-T1-E3
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
2 个 N 沟道（双）
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
批号：
1227+
封装：
SOT-363

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商品信息

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数据列表	SI1912EDH
产品相片	SOT-363 PKG
标准包装	3,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 阵列
系列	TrenchFET®
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)	20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	1.13A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	280 毫欧 @ 1.13A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	450mV @ 100µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	-
功率 - *大值	570mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	SC-70-6
包装	带卷 (TR)
产品目录页面	1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SI1912EDH-T1-E3TR

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