SMD(SO)/表面封装
NTJD1155LT1G
P-FET硅P沟道
A/宽频带放大
ON/安森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 8V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 1.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) -
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
功率 - *大值 400mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
类型:经销商
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