：IR:原装：IRFB4110PBF【优势代理】

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRFB4110PBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
功耗：
370mW
针脚数：
3
工作温度：
-55°C 到 +175°C

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企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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产品分类

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三极管(355)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(179)∟ 功率三极管(19)∟ 开关三极管(12)∟ 微波三极管(1)∟ 其他三极管(31)
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单片机(371)
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∟ 贴片电感(6)∟ 功率电感(31)∟ 扼流线圈电感(3)∟ EMI滤波器(6)∟ 其他电感器(4)
电位器(3)
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电源/稳压器(235)
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商品信息

IRFB4110PBF

场效应管MOSFET N 100V TO-220AB
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 180A
电压, Vds*大: 100V
在???阻RDS（上）: 4.5mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 4V
功耗, Pd: 370W
工作温度范围: -55°C到 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功率, Pd: 370W
功耗: 370mW
器件标号: 4110
封装类型: TO-220AB
栅*电荷Qg N沟道: 150nC
漏*电流, Id*大值: 180A
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 100V
电压, Vgs*高: 4V
电流, Idm脉冲: 670A
表面安装器件: Through Hole
阈值电压, Vgs th: 2V
阈值电压, Vgs th*高: 4V

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