AOS/美国万代
AO4407A
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
12A
30V
3.1W
类型：经销商
电话： 86 0755 82913129
手机：13760293971
联系人：罗少敏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路新亚洲二期N3B085
∟ 肖特基二极管(1)
数据列表 | AO4407A |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET P通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 12A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 11毫欧@ 12A，20V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 15V |
功率-*大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
包装 | 带卷(TR) |
类型：经销商
电话： 86 0755 82913129
手机：13760293971
联系人：罗少敏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路新亚洲二期N3B085
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