MOS管10N60场效应管

品牌/商标：
国产
型号/规格：
10N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*

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商品信息

详细介绍

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压*过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V *过阈值电压Vt时，才会有drain电流。

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