MOS管6N60场效应管

品牌/商标：
国产
型号/规格：
6N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*

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产品分类

二极管(11)
∟ 整流二极管(1)∟ 开关二极管(5)∟ 肖特基二极管(2)∟ 其他二极管(1)
三极管(62)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(14)∟ 功率三极管(1)∟ 开关三极管(4)∟ 复合(达林顿)三极管(1)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(9)
∟ MOSFET(9)
可控硅IGBT(3)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(2)
电源/稳压器(4)

新品上架

商品信息 更新时间：2014-10-24

详细介绍

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELE*RIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂*性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差*过阈值电压时，channel就出现了

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