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深圳市斌腾达科技有限公司

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描述:650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.特征描述:First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the marketLimited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dtLow gate charge value Q gLow Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q ossReduced turn on and turn of delay timesCompliant to AEC Q101 standard优势:Increased safety margin due to higher breakdown voltageReduced EMI appearance and easy to design inBetter light load efficiencyLower switching lossesHigher switching frequency and/or higher duty cycle possibleHigh quality and reliability目标应用:Unidirectional and bidirectional DC-DC converterBattery chargerHID lighting

指标参数ParametricsIPB65R660CFDA      Budgetary Price €€/1k                   0.75                                Encryption                   no                   ID  (@25°C)        max                         6.0 A                   ID         max                         6.0 A                   IDpuls        max                         17.0 A                   Language                   PSpice                   Ptot        max                         62.5 W                   Package                   D2PAK (TO-263)                   Polarity                   N                   Product Category                   Power MOSFET HV CoolMOS™                   QG (typ @10V)                   20.0 nC                               QG                   20.0 nC                               RDS (on) (@10V)        max                         660.0 mΩ                   RDS (on)        max                         660.0 mΩ                   Rth                   2.0 K/W                               RthJA        max                         62.0 K/W                   RthJC        max                         2.0 K/W                   Simulator                   OrCAD      ;      SIMetrix      ;      TINA                   Special Features                   automotive                   Technology                   CoolMOS™ CFDA                   VDS        max                         650.0 V                   VGS(th)        min  max                   3.5 V        4.5 V 

期待已久的英特尔 Optane DC 非易失性内存（Persistent Memory）产品终于到货，据说它可以极大地改变服务器和数据中心的数据处理方式。作为一种新型 DIMM 存储产品，其旨在弥合 DRAM 和 NAND 之间的价格与性能差距，从而开辟了几种独特的新用例。尽管被 Cascade Lake 至强处理器抢尽了风头，但在今日密集的数据中心产品发布会上，英特尔宣称傲腾是推动该公司向数据中心领域进发的关键产品。

英特尔为 Optane DC 非易失性内存提出了一个新的口号 —— 移动、存储、数据处理。

该公司希望傲腾内存（Optane DIMM）能够让客户以经济实惠的方式存储更多的数据，同时对传统内存市场造成一定的压力。

据悉，英特尔 Optane DIMM 基于独特的 3D XPoint 非易失性存储颗粒打造，属于 NAND 和 DRAM 的融合产品。

Optane DIMM 的一大优势，就是能够在断电后保留数据。这意味着它可以作为内存和存储器进行寻址，并为许多新的用例做好准备。

接口方面，Optane DIMM 采用了标准的 DDR4 内存插槽、辅以更加密集的存储选项 —— 包括 128GB、256GB、以及 512GB —— 轻松超越 128GB DDR4 内存模组的限制。

英特尔希望 Optane DIMM 弥合 DRAM 和 NAND 之间的价格和性能差距，尽管目前还不知道定价细节，但它有望远低于目前市售的 DDR4 DRAM 产品。

此外，Optane DIMM 还将配备类似 SSD 的主控、以及由英特尔自家设计的专属内存控制器。

它可以与传统 DRAM 一起使用，但因为延迟、带宽和协议等方面的不同，两者的管理方式也有所不同。

有鉴于此，英特尔需要对 Cascade Lake 处理器的内存控制器部分，进行重新的设计。

，英特尔新型内存控制器还使得处理器能够更靠近 TB 级别的“内存”。从理论上讲，英特尔 Optane DIMM 可以大大减少到存储系统的行程。

此外由于非易失的存储特性，它还有助于避免内存中的数据丢失 —— 即便服务器需要重新启动或停机，也不会造成太大的麻烦。

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