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:晶体管 IRF7473PBF

供应:晶体管  IRF7473PBF
供应:晶体管  IRF7473PBF
  • 型号/规格:

    IRF7473PBF

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    SO-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 7
  • 企业名:中杰盛科技有限公司

    类型:

    电话: 0755-22968359

    手机:13530907567

    联系人:朱先生 张小姐 周先生

    QQ: QQ:1125805706

    微信:

    邮箱:1125805706@qq.com

    地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

产品分类
商品信息

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Smps MOSFET  

宽度: 3.9 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 3800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 24 ns  

零件号别名: SP001572110  

单位重量: 540 mg


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Smps MOSFET  

宽度: 3.9 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 3800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 24 ns  

零件号别名: SP001572110  

单位重量: 540 mg


联系方式

企业名:中杰盛科技有限公司

类型:

电话: 0755-22968359

手机:13530907567

联系人:朱先生 张小姐 周先生

QQ: QQ:1125805706

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地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

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