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晶体管 SI4435FDY-T1-GE3

供应晶体管  SI4435FDY-T1-GE3
供应晶体管  SI4435FDY-T1-GE3
  • 型号/规格:

    SI4435FDY-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    Vishay

  • 封装形式:

    SO-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 7
  • 企业名:中杰盛科技有限公司

    类型:

    电话: 0755-22968359

    手机:13530907567

    联系人:朱先生 张小姐 周先生

    QQ: QQ:1125805706

    微信:

    邮箱:1125805706@qq.com

    地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

产品分类
商品信息


制造商:  

Vishay  

产品种类:  

MOSFET  

RoHS:  

 详细信息  

技术:  

Si  

安装风格:  

SMD/SMT  

封装 / 箱体:  

SO-8  

通道数量:  

1 Channel  

晶体管极性:  

P-Channel  

Vds-漏源极击穿电压:  

30 V  

Id-连续漏极电流:  

12.6 A  

Rds On-漏源导通电阻:  

30 mOhms  

Vgs th-栅源极阈值电压:  

2.2 V  

Vgs - 栅极-源极电压:  

20 V  

Qg-栅极电荷:  

13.5 nC  

工作温度:  

- 55 C  

工作温度:  

+ 150 C  

配置:  

Single  

Pd-功率耗散:  

4.8 W  

通道模式:  

Enhancement  

封装:  

Cut Tape  

封装:  

MouseReel  

封装:  

Reel  

晶体管类型:  

1 P-Channel  

商标:  

Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值:  

25 S  

CNHTS:  

8541210000  

下降时间:  

16 ns  

HTS Code:  

8541290095  

MXHTS:  

85411001  

产品类型:  

MOSFET  

上升时间:  

30 ns  

工厂包装数量:  

2500  

子类别:  

MOSFETs  

TARIC:  

8541100000  

典型关闭延迟时间:  

21 ns  

典型接通延迟时间:  

26 ns  

单位重量:  

74 mg


联系方式

企业名:中杰盛科技有限公司

类型:

电话: 0755-22968359

手机:13530907567

联系人:朱先生 张小姐 周先生

QQ: QQ:1125805706

微信:

邮箱:1125805706@qq.com

地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

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