STP100N10F7
ST(意法半导体)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
企业名:中杰盛科技有限公司
类型:
电话: 0755-22968359
手机:13530907567
联系人:朱先生 张小姐 周先生
微信:
邮箱:1125805706@qq.com
地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
商标名: STripFET
封装: Tube
产品: Power MOSFET
系列: STP100N10F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 330 mg
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
商标名: STripFET
封装: Tube
产品: Power MOSFET
系列: STP100N10F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 330 mg
企业名:中杰盛科技有限公司
类型:
电话: 0755-22968359
手机:13530907567
联系人:朱先生 张小姐 周先生
微信:
邮箱:1125805706@qq.com
地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202