IRFP150NPBF特征
1.先进的工艺技术
2.动态 dv/dt 等级
3.175℃工作温度
4.快速切换
5.完全雪崩额定值
6.无铅

IRFP150NPBF描述
International Rectifier 的第五代 HEXFET利用先进的加工技术实现每硅面积的导通电阻极低。 

这好处，结合快速的切换速度和坚固耐用的设备设计，HEXFET Power
MOSFET 众所周知，为设计人员提供使用极其高效和可靠的设备在各种应用中。
TO-247 封装shou选用于商业-更高功率水平的工业应用排除使用 TO-220 设备。

TO-247 是类似但优于早期的 TO-218 封装因为它有隔离的安装孔。

IRFP150NPBF尺寸图

IRFP150NPBF参数图
Absolute Maximum Ratings
 ----                         Parameter                                         Max.    Units
Ld @ Tc=25℃ 持续漏极电流，VGs @ 10V 42 A

Ld @ Tc=100℃ 持续漏极电流，VGs @10V 30 A
I dM 脉冲漏极电流 1 5 140 A
PD@Tc= 25℃ 功耗 160 W
线性降额因数 1.1 W/°C
V GS 栅源电压 ±20 V
E AS 单脉冲雪崩能量2 5 420 MJ
I AR 雪崩电流 1 5 22 A
E AR 重复雪崩能量 1 16 mJ
dv/dt 峰值二极管恢复 dv/dt 3 5 5.0 V/ns
TJ 工作结和 - 55℃ 至 +175℃
T STG 储存温度范围 - 55℃ 至 +175℃
焊接温度。 10 秒 300（距外壳 1.6 毫米）
安装扭矩，6-32 或 M3 螺丝 10lbf-in(1.1N-m)
Absolute Maximum Ratings
 ----                         Parameter                                         Max.    Units
Ld @ Tc=25℃   Continuous Drain Current, VGs @ 10V      42       A
Ld @ Tc=100℃ Continuous Drain Current, VGs  @10V      30       A
I dM                    Pulse Drain Current 1 5                          140        A
PD@Tc= 25℃    Power Dissipation                                   160       W
Linear Derating Factor                                                      1.1        W/°C
V GS    Gated-to-Source  Voltage                                   ±20           V
E AS    Single Pulse Avalanche Energy2 5                    420        MJ
I AR   Avalanche Current 1 5                                           22        A
E AR   Repetitive Avalanche Energy 1                            16         mJ
dv/dt    Peak Diode Recovery dv/dt 3 5                           5.0    V/ns
TJ                Operating Junction and                               - 55℃ to +175℃
T STG       Storage Temperature Range                       - 55℃ to +175℃
Soldering Temperature. for 10 second                        300(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 srew                          10lbf-in(1.1N-m)

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