SPW24N60C3  24N60C3 24A/600V TO-247 场效应管
CoolMOS™ 功率晶体管

SPW24N60C3特征
新的革命性高压技术
超低栅极电荷
定期雪崩额定值
极端 dv/dt 额定
超低有效电容
改进的跨导

VDS @ Tj,max 650V
RDS(on),max 0.16Ω
ID 24.3A


SPW24N60C3

Maximum ratings, at Tj=25 °C, （unless otherwise specified）

参数 符号 条件 单位

持续漏极电流
内径 TC=25 °C (24.3 A) TC=100 °C (15.4A)
脉冲漏极电流1) ID,pulse TC=25 °C 72.9 A
雪崩能量，单脉冲
EASID=12.1 A,VDD=50 V 780mJ
雪崩能量，重复 tAR1),2)
EARID=24.3A，VDD=50V 1.5MJ
雪崩电流，重复 tAR1) IAR 24.3 A
漏源电压斜率 dv/dt ID=24.3 A, VDS=480 V, Tj=125 °C
50 伏/纳秒
栅源电压 VG 静态 ±20V
VG SAC (f>1 Hz) ±30V
功耗 Ptot TC=25 °C 240W
操作和储存温度
Tj, Tstg°C -55....150 °C

热特性
热阻，结 - 外壳 RthJC 0.52 K/W
热阻，结 - 环境 RthJA 引线 62 K/W
焊接温度 Tsold 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s 260℃

SPW24N60C3尺寸图

参数图

电气特性，在 Tj=25 °C 时，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压V(BR)DSS VGS=0 V, ID=250 μA
600--V（MIN）
雪崩击穿电压V(BR)DS VGS=0 V, ID=24.3 A -700-(TYPE)
栅极阈值电压VGS (th) VDS=VGS, ID=1.2 mA 2.1 3 3.9(V)
零栅极电压漏极电流 IDSS VDS=600 V, VGS=0 V, Tj=25 °C-0.1 1μA
VDS=600 V, VGS=0 V, Tj=150 °C --100μA
栅源漏电流 IGSS VGS=20 V, VDS=0 V--100nA
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10 V, ID=15.4 A, Tj=25 °C- 0.14 0.16 Ω
VGS=10 V，ID=15.4 A，Tj=150 °C -0.34 Ω-
栅极电阻RGf=1 MHz，漏极开路 - 0.7 -Ω
跨导
  gfs|VDS|>2|ID|RDS(on)max, ID=15.4 A -24-S

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