KNB3308A 3308A 80A 80V N沟道TO-263贴片场效应MOS管  KIA

KNB3308特征

RDS(ON)=6.2mΩ@VGS=10V
提供无铅和绿色设备
低 Rds-on 以zui大限度地减少传导损耗
高雪崩电流

KNB3308应用 

电源 

DC-DC 转换器

KNB3308引脚配置

参数 符号 zui大(TO-252TO-263TO-247) 单位
漏源电压 VDSS 80V
栅源电压 VGSS +25V
持续漏极电流 TC=25oC ID3
80* 80 80 A
TC=100oC 70* 70 70 A
脉冲漏极电流 TC=25oC IDP4 340A
雪崩电流 IAS5 20 A
雪崩能量 EAS5 410 mJ
zui大功耗 TC=25oC
PD 120 240 288W
TC=100oC
60 100 144 瓦
结点和存储温度范围 TJ,TSTG -55～175oC

电气特性参数

电气特性（TA=25°C，除非另有说明）
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit
静态特性
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,IDS=250μA 80--V
零
栅极电压 漏极电流
IDSS VDS=64V,VGS=0V--1μA (TJ=125oC--100μA )
栅极阈值电压 VGS(th)VDS=VGS,IDS=250μA234V
栅极漏电流IGSSVGS=+25V,VDS=0V--+100nA
漏源导通电阻RDS(on)1VGS=10V,IDS=30A-6.29mΩ
二极管特性
二极管正向电压VSD1ISD=40A,VGS=0V--1.3V
二极管连续正向电流IS3--80A
反向覆盖时间trrIF=40A,dl/dt=100A/μs-25-nS
反向恢复电荷Qrr-18.5-nC
动态特性2
栅极电阻RG (VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz-1.3-Ω)


-输入电容Ciss (VGS=0V,VDS=25V,F=1.0MHz )
-输出电容Coss(VGS=0V,VDS=25V,F=1.0MHz)
反向传输电容Crss-(VGS=0V,VDS=25V,F=1.0MHz)
  同 (-3110 PF-445-pF---270PF)


开启延迟时间td(ON) -
开启上升时间
关断延迟时间td(OFF)
关断下降时间 tf-
（VDD=37.5V,ID=40A,VGS=10V,RG=6.8Ω）
分别（20.4 nS，63-nS，67-nS，43-nS）


栅极电荷特性2
总栅极电荷 Qg （VDS=37.5V,VGS=10V,ID=40A,-）
栅源电荷 Qgs-
栅漏电荷Qgd-
分别（76-nC，9.5-nC，40-nC）


注：

1.脉冲测试；脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%.

2.设计保证，不经生产测试。

3.封装限制电流为50A。根据zui大允许结温计算连续电流。

4.重复，脉冲宽度限制zui大结温。

5.起始，IAC=10°AC=25H

企业名：深圳市奥诗达电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-83234840

手机：13530404658

联系人：许俊权

QQ：

微信：

邮箱：2881262875@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强北路1002号赛格广场1703A