IRFB4020PBF TO-220 N沟道 200V/18A 直插MOSFET

IRFB4020PBF 特征
针对 D 类音频放大器应用优化的关键参数
低 RDSON 以提高效率
低 QG 和 QSW 以获得更好的 THD 和更高的效率
低 QRR 以获得更好的 THD 和更低的 EMI
175°C 工作结温，坚固耐用
可以向半桥配置放大器中的 8Ω 负载提供每通道高达 300W 的功率

Key Parameters
V DS  200V
R DS(ON) TYP.@10V   80MΩ
Q g   typ.    18  nC
Q sw typ.     6.7 nC
R G(int) typ.  3.2Ω
T J max       175 ℃
IRFB4020PBF描述
此数字音频 MOSFET 专为 D 类音频放大器应用而设计。

该 MOSFET 采用zui新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。 

此外，优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，

以提高关键 D 类音频放大器性能因素，例如效率、THD 和 EMI。 

该 MOSFET 的其他特性是 175°C 的工作结温和重复雪崩能力。 

这些特性相结合，使该 MOSFET 成为适用于 D 类音频放大器应用的高效、坚固且可靠的器件.

IRFB4020PBF 参数说明
Absolute Maximum Ratings
参数 zui大值 单位
VDS 漏源电压 200 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID @ TC = 25°C 连续漏极电流，VGS @ 10V 18A
AID @ TC = 100°C 连续漏极电流，VGS @ 10V 13A
IDM 脉冲漏极电流 1 52 A
PD @TC = 25°C 功耗 4 100 W
PD @TC = 100°C 功耗 52W
线性降额因数 0.7 W/°C
TJ  TSTG
工作结点和°C 存储温度范围  -55 至 175°C
焊接温度，10 秒（距外壳 1.6mm） 300°C
安装扭矩，6-32 或 M3 螺钉 10Ib.in(1.1N.m)

热阻
参数类型 zui大限度。 单位
RθJC 结到外壳 4–––1.43 °C/W
RθCS 壳到沉、平坦、润滑表面 0.50–––°C/W
RθJA 结到环境 4 –––62 °C/W

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