STD4NK80ZT4
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售STD4NK80ZT4
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（MAX Rds On，MIN Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（MAX）
3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（MAX）
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（MAX）
22.5 nC @ 10 V
Vgs（MAX）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（MAX）
575 pF @ 25 V
FET 功能
功率耗散（MAX）
80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
STD4NK80ZT4
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
STD4NK80ZT4

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