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MMBFJ177 N沟道JFET场效应管

供应MMBFJ177  N沟道JFET场效应管
供应MMBFJ177  N沟道JFET场效应管
  • 型号/规格:

    MMBFJ177

  • 品牌/商标:

    SZXYL

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市新亿利电子有限公司

    类型:

    电话: 075582762266

    手机:15989314729

    联系人:黄小姐

    QQ: QQ:3003988563

    微信:

    邮箱:43064591@qq.com

    地址:广东深圳深圳市华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座2101 门市:深圳市福田区中航路新亚洲二期N1C999

商品信息 更新时间:2025-06-13

MMBFJ177

一、产品概述

MMBFJ177 SOT-23 是一款高性能 N 沟道结型场效应管(JFET),采用小型化 SOT-23 表面贴装封装。

二、he心电气参数与性能特性

1. 电气参数规格

  • 耐压特性
    • 漏源击穿电压(V (BR) DSS):zui小值 25V,可抵御电路中瞬时电压波动,保障器件安全。
    • 栅源截止电压(VGS (off)):-4.5V ~ -2.5V,符合 N 沟道 JFET 负向偏置导通特性。
  • 电流控制
    • 零栅压漏极电流(IDSS):7.0mA ~ 20mA,电流输出稳定,适配不同负载需求。
    • zui大正向栅极电流(IGF):10mA,确保栅极对漏极电流的精准调控。
  • 信号放大能力
    • 跨导(gm):7000μS ~ 12000μS(典型值),对微弱信号具有高效放大能力,适用于射频信号链。
  • 功率与热特性
    • 功率耗散(PD):225mW,低功耗设计适配电池供电设备。
    • 工作温度范围:-55℃ ~ %2B150℃,存储温度范围:-55℃ ~ %2B150℃,满足工业级环境要求。

2. he心性能优势

  • 低噪声特性MMBFJ177在音频前置放大、传感器信号调理等场景中,可减少噪声干扰,保证信号纯净度。
  • 高频响应优化:特别适用于高频(HF)和甚高频(VHF)频段,如 30MHz 以下的射频混频、放大电路。
  • 高输入阻抗:输入阻抗可达 10^8Ω 以上,减少信号源负载效应,适配高阻抗信号源电路。

三、MMBFJ177 的优势

  • 小型化与集成化:适配手机、无线模块等小型设备,助力产品轻薄化设计。
  • 焊接兼容性:支持回流焊(峰值温度≤260℃,焊接时间≤10 秒),适合自动化批量生产。
  • 散热设计:通过封装结构优化,有效导出工作热量,维持器件长期稳定运行。

四、应用场景与典型电路

1. 射频通信领域

  • 混频器电路:用于超外差接收机中实现射频信号与本振信号的混频,转换至中频频段。
  • 射频放大器:作为低噪声放大器(LNA)或功率放大器(PA)前端,增强无线信号强度。

2. 高频信号处理

  • HF/VHF 频段应用:MMBFJ177 在业余无线电、航空通信(118MHz~137MHz)等场景中,作为振荡器或信号缓冲器,保障高频信号的稳定性。
  • 传感器接口电路:适配雷达传感器、高频压力传感器等,对输出的微弱高频信号进行放大与调理,提升检测精度。

3. 工业与消费电子

  • 电源管理:作为负载开关或线性稳压器(LDO)的控制元件,实现低功耗电源切换。
  • 音频设备:用于麦克风前置放大、耳机驱动电路,减少噪声干扰,提升音质表现。

五、使用注意事项

  • 静电防护:操作时需佩戴防静电手环,避免静电击穿栅极氧化层。
  • 电路设计:栅极驱动电压需满足负向偏置(VGS < 0V),避免正向电压导致器件损坏。
  • 散热优化:若长时间工作在高功耗场景,建议搭配散热焊盘或 PCB 敷铜设计,提升散热效率。

联系方式

企业名:深圳市新亿利电子有限公司

类型:

电话: 075582762266

手机:15989314729

联系人:黄小姐

QQ: QQ:3003988563

微信:

邮箱:43064591@qq.com

地址:广东深圳深圳市华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座2101 门市:深圳市福田区中航路新亚洲二期N1C999

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