NCE3080KA
NCE新节能
TO-252-2L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
N沟道增强型功率MOSFET
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505
低栅极电荷mos管NCE3080KA采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
低栅极电荷mos管一般特征:
VDS=30V,ID=80A
RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v
RDS(ON)<10mΩ@vg=5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
低栅极电荷mos管参数:
产品型号:NCE3080KA
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压():30V
连续漏极电流():80A
功率耗散():83W
栅源极击穿电压:20V
漏源导通电阻(典型值)(10V):5.5mΩ
漏源导通电阻(典型值)(4.5V):7.5mΩ
封装:TO-252
低栅极电荷mos管应用领域:
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
额定值(TC=25℃,除非另有说明):
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
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18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
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邮箱:lbc@yhtcdz.com
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