SI2301CDS-T1-GE3 是由 Vishay 公司生产的 P 通道增强型功率 MOSFET，它具有 20V 的漏源电压（Vds）、3.1A 的连续漏源电流（Id）、0.09ohm 的漏源导通状态电阻（Rds(on)），并且是表面安装型，封装类型为 SOT-23 。这款 MOSFET 符合 RoHS 指令，并且是无卤素的，工作温度范围为 -55 至 150。C

一、产品概述

• 产品型号：SI2301CDS-T1-GE3
• 制造商：Vishay（威世）
• 类型：P通道增强模式功率MOSFET
• 适用场景：负载开关应用
• 特点：无卤素，-55至150。C的宽工作温度范围

二、电气特性

• 漏源极电压(Vds)：zui大值为-20 V
• 连续漏极电流(Ids)：zui大值为-3.1 A（也有资料显示zui大值为2.3 A，具体值可能因测试条件或版本不同而略有差异）
• 栅源极电压(Vgs)：zui大值为-8 V至%2B8 V
• 栅源极阈值电压(Vgs th)：约0.4 V（典型值）
• 漏源导通电阻(Rds On)：约112 mΩ（也有资料显示为0.09 ohm或0.142 Ω，具体值取决于测试条件）
• zui大功率耗散(Pd)：860 mW
• 工作温度范围：-55。C至%2B150。C

三、物理特性

• 封装类型：SOT-23（也有资料称其为SOT-23-3）
• 引脚数目：3引脚
• 安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
• 外形尺寸：长度3.04 mm，宽度1.4 mm，高度1.02 mm

四、其他特性

• 通道模式：增强模式
• 晶体管极性：P-Channel
• 符合标准：RoHS标准，无卤素，REACH SVHC标准No SVHC

五、应用领域

• 工业应用：由于其宽工作温度范围和高功率处理能力，SI2301CDS-T1-GE3适用于各种工业负载开关应用。
• 电源管理：在电源管理系统中，该MOSFET可用于控制电流和电压，实现高效的电源转换和分配。

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