SIS407DN-T1-GE3是Vishay（威世）公司生产的一款场效应管（MOSFET），以下是对该产品的详细介绍：

一、基本信息

• 品牌：Vishay（威世）
• 型号：SIS407DN-T1-GE3
• 封装：PowerPAK 1212-8（也有信息表明封装为QFN，但PowerPAK 1212-8更为具体）
• 晶体管极性：P-Channel（P沟道）
• 通道数量：1 Channel（单通道）

二、电气特性

• 漏源极击穿电压（Vds）：20V
• 连续漏极电流（Id）：25A
• 漏源导通电阻（Rds On）：9.5mΩ（在特定条件下，如Vgs=4.5V，Id=15.3A时）
• 栅极-源极电压（Vgs）：-8V ~ %2B8V
• 栅源极阈值电压（Vgs th）：400mV
• 栅极电荷（Qg）：38nC
• 输入电容（Ciss）：2.76nF@10V
• 
  

三、热特性

• zui小工作温度：-55。C
• zui大工作温度：+150。C
• 功率耗散（Pd）：33W

四、其他特性

• 安装风格：SMD/SMT（表面贴装）
• 通道模式：Enhancement（增强型）
• 配置：Single（单配置）
• 尺寸：高度1.04mm，长度3.3mm，宽度3.3mm
• 动态特性：上升时间28ns，下降时间38ns，典型接通延迟时间23ns，典型关闭延迟时间92ns

五、应用领域

由于SIS407DN-T1-GE3是一款具有低导通电阻和高电流承受能力的P沟道场效应管，它非常适用于需要高效能电源管理的应用中，如开关电源、电机控制、汽车电子等领域。

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