SQSA80ENW-T1_GE3是威世（Vishay）公司生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。以下是对该产品的详细介绍。

一、基本信息

• 制造商与型号：威世（Vishay），型号SQSA80ENW-T1_GE3。
• 类别：晶体管 - FET, MOSFET - 单个。
• 产品系列：属于Automotive, AEC-Q101, TrenchFET系列，表明其适用于汽车应用并符合AEC-Q101标准。

二、电气特性

• 漏源电压（Vdss）：80V，表示该MOSFET能承受的zui大漏源极电压为80V。
• 连续漏极电流（Id）：在25。C时，zui大连续漏极电流为18A（Tc）。
• 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，典型导通电阻为21毫欧@10A。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：zui大值为2.5V @ 250μA，表示当栅极-源极电压达到此值时，MOSFET开始导通。
• 栅极电荷（Qg）：zui大值为21nC @ 10V，影响开关速度和效率。
• 输入电容（Ciss）：在Vds=40V时，zui大值为1358pF，影响高频性能。

三、封装与安装

• 封装形式：PowerPAK 1212-8，这是一种表面贴装型封装，适合高密度电路板应用。
• 工作温度范围：-55。C至%2B175。C（TJ），表明该MOSFET能在宽温度范围内正常工作。

四、其他特性

• 功率耗散（Pd）：zui大值为62.5W（Tc），表示在特定条件下MOSFET能安全耗散的功率。
• 技术规格：采用MOSFET技术，N通道，增强型模式。
• 应用范围：由于其高电压、大电流和高温工作能力，该MOSFET适用于汽车、工业电源管理等需要高效能开关的应用场景。

五、总结

SQSA80ENW-T1_GE3是威世公司推出的一款高性能N通道MOSFET，具有80V的高漏源电压和18A的连续漏极电流能力，适用于需要高效能开关的汽车和工业应用。其PowerPAK 1212-8封装形式使其易于在高密度电路板上安装，且能在宽温度范围内稳定工作。

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