IXYS原装场效应管 IXTQ82N25P *十

品牌/商标：
IXY美国电报半导体
型号/规格：
IXTQ82N25P
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GaAS-FET砷化镓
漏*电流：
22
跨导：
22
开启电压：
22
夹断电压：
22

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商品信息

IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P

IXTQ82N25P产品规格参数 PDF

制造商: IXYS
RoHS: 详细信息
晶体管*性: N Channel
汲*/源*击穿电压: 250 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 82 A
电阻汲*/源* RDS（导通）: 35 mOhms
配置: Single
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-*
封装: Tube
下降时间: 22 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 500000 mW
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 78 ns