FAIRCHILD/*童
HGTG30N60B3
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
原厂规格
原厂规格
原厂规格
原厂规格
企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行
类型:经销商
电话: 0755-82894329
联系人:陈义雄
地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*饱和电压: 1.45 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
栅*—射*漏泄电流: /- 250 nA
功率耗散: 208 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
*件号别名: HGTG30N60B3_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司