英飞凌IGBT管 IKW75N60T 原装现货现货

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
IKW75N60T
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
ALGaAS铝镓砷

发布询价信息

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产品分类

电源IC(37)
∟ DC-DC(1)∟ LED驱动IC(7)∟ 稳压IC(28)∟ 其他电源IC(1)
半导体存储器(5)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(1)
二极管(398)
∟ 整流二极管(45)∟ 整流二极管模块(2)∟ 稳压二极管(14)∟ 开关二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(58)∟ 检波二极管(1)∟ 阻尼二极管(2)∟ 变容二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(25)∟ 瞬态(变)抑制二极管(28)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(32)∟ 激光(光电)二极管(1)∟ 其他二极管(5)
三极管(316)
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场效应管MOSFET(120)
∟ MOSFET(55)∟ 结型场效应管(14)∟ 其他场效应管模块(4)
可控硅IGBT(343)
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单片机(281)
∟ 单片机产品/套件(4)∟ 单片机MCU(13)∟ 其它单片机配套产品/服务(109)
电容器(26)
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电阻器(5)
∟ 贴片/片式电阻(4)∟ 其他电阻(1)
电感器(1)
∟ 共模电感(1)
电位器(2)
∟ 单圈、多圈电位器(1)
电源/稳压器(11)
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新品上架

商品信息

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:   详细信息

配置: Single

集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V

集电*—射*饱和电压: 1.9 V

栅*/发射**大电压: /- 20 V

Continuous Collector Current at 25 C: 80 A

栅*—射*漏泄电流: 100 nA

功率耗散: 428 W

*大工作温度: 175 C

封装 / 箱体: TO-247-3

封装: Tube

集电**大连续电流 Ic: 80 A

*小工作温度: - 40 C

安装风格: Through Hole

*件号别名: IKW75N60TXK