您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

IRL3803PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRL3803PBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRL3803PBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:120 A
Rds上漏源导通电阻:9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:93.3 nC
Pd-功率耗散:150 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL3803PBF SP001557982
单位重量:6 g
特征

无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
超低电阻
动态dv/dt额定值175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术,

实现了对抗干扰面积的可能。这种优点结合了HEXFET

功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设计,

为设计者提供了一种非常高效的设备,可用于多种应用。

TO-220封装在功率耗散水平达到大约50瓦。TO-220的低

热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛的接受。


额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:

29

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:

20

IDM

Pulsed Drain Current CDa:

100

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

3.8

W

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

68

W

 

Linear Derating Factor

0.45

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

士 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0a:

130

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

16

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

5.6

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt CTa:

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )


联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

微信:

邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9