本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：12 V
Id-连续直流电流：9.2 A
Rds上漏源导通电阻：17毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：900 mV
Qg-血浆甲醛：57 nC
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：25 S
下降时间：260 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：8.6 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7329TRPBF SP001566104
单位重量：540毫克
特征

•风口技术
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•薄型（<1.8mm）
•提供卷带包装
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的新型P沟道HEXFET®

功率MOSFET利用先进的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。

 这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用的器件设计

相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛

用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多芯片

能力，使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，

可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。 

该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。

额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	-12	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-9.2	A
ID @ TA= 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-7.4
IDM	Pulsed Drain Current CD	-37
PD @TA = 25°C	Power Dissipation CT	2.0	w
PD @TA = 70°C	Power Dissipation CT	1.3
	Linear Derating Factor	16	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 8.0	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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