IRFI4019H-117P
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:8.7 A
Rds漏源导通电阻:80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:13 nC
工作温度:-40 C
Pd-功率耗散:18 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:双
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:3.1 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:6.6 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:13 ns
典型起始延迟时间:7 ns
零件号别名:IRFI4019H-117P SP001560458
单位重量:6 g
特征
•集成半桥封装
•将零件数减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS(ON)可提高效率
•较低的Qg和Qsw,以实现更好的THD和更高的效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中向8负载提供每通道高达200W的功率
•无铅套餐
描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。
它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。
工艺用于实现每个硅面积的低导通电阻。 此外,
优化了栅极电荷,体二极管反向恢复和内部栅极电阻,
以改善D类音频放大器的关键性能指标,例如效率,
THD和EMI。 这些结合在一起使该半桥成为用于
D类音频放大器应用的高效,坚固和可靠的设备。
额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
150 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.7 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.2 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
34 |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy@ |
77 |
mJ |
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation © |
18 |
W |
PD @TC = 100°C |
Power Dissipation © |
7.2 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.15 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
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企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼