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IRFI4019H-117P MOSFET ▊进口原装现货▊

IRFI4019H-117P MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRFI4019H-117P MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息 更新时间:2020-06-11

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:8.7 A
Rds漏源导通电阻:80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:13 nC
工作温度:-40 C
Pd-功率耗散:18 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:双
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:3.1 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:6.6 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:13 ns
典型起始延迟时间:7 ns
零件号别名:IRFI4019H-117P SP001560458
单位重量:6 g
特征
•集成半桥封装
•将零件数减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS(ON)可提高效率
•较低的Qg和Qsw,以实现更好的THD和更高的效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中向8负载提供每通道高达200W的功率
•无铅套餐

描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。

 它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。 

工艺用于实现每个硅面积的低导通电阻。 此外,

优化了栅极电荷,体二极管反向恢复和内部栅极电阻,

以改善D类音频放大器的关键性能指标,例如效率,

THD和EMI。 这些结合在一起使该半桥成为用于

D类音频放大器应用的高效,坚固和可靠的设备。
额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

150

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

8.7

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.2

IDM

Pulsed Drain Current CD

34

EAS

Single Pulse Avalanche Energy@

77

mJ

PD @TC = 25°C

Power Dissipation ©

18

W

PD @TC = 100°C

Power Dissipation ©

7.2

 

Linear Derating Factor

0.15

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

 

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb·in (1.1N·m)

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

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邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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