本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：900 mA
导通电阻：1.2 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.5 V
Qg-萘甲酸：4.5 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：0.55 S
下降时间：9.2 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：1.6 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：7.5 ns
典型起始延迟时间：6 ns
零件号别名：IRF5802TRPBF SP001561828
单位重量：20毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅
•无卤素

额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	0.9	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	0.7
IDM	Pulsed Drain Current CD	7.0
PD @TA = 25°C	Power Dissipation©	2.0	W
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 30	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	7.1	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

热阻

	Parameter	Max.	Units
RqJA	Maximum Junction-to-Ambient®	62.5	°C/W

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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