本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：208 A
Rds漏源导通电阻：2.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：3.9 V
Qg-萘甲酸：135 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
钯-功率耗散：208 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：88 S
下降时间：68 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：68 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：115 ns
典型中断时间：24 ns
零件号别名：IRFS7440TRLPBF SP001552344
单位重量：4 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器

好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素

额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	208叩	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	147叩
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)	120
IDM	Pulsed Drain Current 0	772
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	208	W
	Linear Derating Factor	1.4	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lbf' in (1.1N' m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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