本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：3.4 A
Rds上漏源导通电阻：105毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：26 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7342TRPBF SP001566208
单位重量：540毫克
特征

第五代技术
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
表面贴装
提供卷带包装
动态dv / dt额定值
快速切换
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多管芯能力，使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。

Absolute Maximum Ratings
Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-55	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-3.4	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-2.7
IDM	Pulsed Drain Current 	-27
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation	2.0	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power Dissipation	1.3
	Linear De rating Factor	0.016	mW°/C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
VGSM	Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp < 10μs	30
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	114	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ƒ	5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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