本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：5.2 A
Rds上漏源导通电阻：50毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7301TRPBF SP001561974
单位重量：540毫克
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双N沟道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述

来自国际整流器公司的第五代HEXFET

采用先进的处理技术，以使每个硅面积

的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固

耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了

一种非常有效的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增

强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源

应用的理想选择。 通过这些改进，可以在一块

板子空间大大减少的应用中使用多种设备。 

该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。 

在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TA = 25°C	10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ 4.5V	5.7	A
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V	5.2
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V	4.1
IDM	Pulsed Drain Current CD	21
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.0	W
	Linear Derating Factor	0.016	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	士 12	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt 0	5.0	V/ns
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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