场效应管
K596
结型(JFET)
N沟道
增强型
C-MIC/电容话筒*
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
#
#
#
企业名：上海芯润电子科技有限公司
类型：生产加工
电话： 21-54189668
联系人：陆桢
地址：上海上海市东樱花园41号302室
∟ 肖特基二极管(2)
| 1.*限值（Ta=25℃） | |||||||||||
| 参数名称 | *号 | 额定值 | 单位 | 备注 | |||||||
| 栅-漏击穿电压 | VGDO | -25 | V | ||||||||
| 漏-源击穿电压 | VDSX | 27 | V | ||||||||
| 漏-栅漏电流 | IGDO | 2.5 | μA | ||||||||
| 源-栅漏电流 | IGSO | 2.5 | μA | ||||||||
| 结温 | Tj | 150 | ℃ | ||||||||
| 储存温度 | Tstg | -55～150 | ℃ | ||||||||
| 2.电参数（Ta=25℃） | |||||||||||
| 参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | |||||||
| Min. | T*. | Max. | |||||||||
| 栅-漏击穿电压 | VGDO | ID=-100μA | -25 | -90 | V | ||||||
| 漏-源击穿电压 | VDSX | VGS=-1V,ID=10μA | 27 | 90 | V | ||||||
| 漏-栅漏电流 | IGDO | VGD=-25V | 2.5 | μA | |||||||
| 源-栅漏电流 | IGSO | VGS=-25V | 2.5 | μA | |||||||
| *栅漏源饱和电流 | IDSS | VDS=5V,VGS=0 | 150 | 350 | μA | ||||||
| 跨导 | GMV | VDS=2V,VGS=0 | 600 | 1400 | μS | ||||||
| 电阻值 | R | V =10V | 0.8 | 2 | GΩ | ||||||
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
