AOS/美国万代
AOTF6N90,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.2Ω
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
N-FET硅N沟道
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
AOTF6N90,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.2Ω
产品型号:AOTF6N90
概述
该AOTF6N90采用了先进的高电压MOSFET的制造过程,目的是在AC-DC转换应用中提供较高的性能和稳定性。
通过提供低导通电阻RDS(ON),Ciss和Crss以及雪崩能力保证这零件可通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
应用范围:
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* HID灯
* 节能灯镇流器
* 逆变器
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1196 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):160
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):58 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ.
下降时间Tf(ns):49 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,6A,2.2Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
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