AO3409场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    AO3409场效应管规格：

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：130 毫欧 @ 2.6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：370pF @ 15V

    功率 - 值：1.4W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3409

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    

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