AO3418场效应管采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或PWM应用。

    AO3418场效应管规格：

    ET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.8A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：60 毫欧 @ 3.8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1.8V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：270pF @ 15V

    功率 - 值：1.4W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3418

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23

    系列：-

    VDS    30V

    ID(at VGS=10V) 3.8A

    RDS(ON)(at VGS=10V) < 55mΩ

    RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 65mΩ

    RDS(ON) (at VGS=2.5V) < 85mΩ

    

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